MMBT2369ALT1G

Name: ON Semiconductor MMBT2369ALT1G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.7 (17 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ON Semi MMBT2369ALT1G NPN Bipolar Transistor; 0.2 A; 15 V; 3-Pin SOT-23
Date Sheet

Lagernummer 33564

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Срок поставки от производителя：10 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：15V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：40
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2005
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Завершение：SMD/SMT
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：15V
Максимальная потеря мощности：225mW
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：200mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：MMBT2369A
Число контактов：3
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：300mW
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：15V
Максимальный ток сбора：200mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：20 @ 100mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)：400nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：500mV @ 10mA, 100mA
Частота перехода：500MHz
Максимальное напряжение разрушения：15V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：40V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：4.5V
Высота：940μm
Длина：2.9mm
Ширина：1.3mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 33564

Итого $0.00000