(0)
Изображение служит лишь для справки
2STN1550
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-261-4, TO-261AA
- Bipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar
Date Sheet
Lagernummer 297
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Срок поставки от производителя：8 Weeks
- Покрытие контактов：Tin
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-261-4, TO-261AA
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：50V
- Количество элементов：1
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：4
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная потеря мощности：1.6W
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Основной номер части：2STN
- Число контактов：4
- Код JESD-30：R-PDSO-G4
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：1.6W
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：50V
- Максимальный ток сбора：5A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：135 @ 2A 2V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：450mV @ 300mA, 3A
- Максимальное напряжение разрушения：50V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：50V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 297
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
