(0)
Изображение служит лишь для справки
2STD1665T4
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- TRANS NPN 65V 6A DPAK
Date Sheet
Lagernummer 15879
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 6 months ago)
- Срок поставки от производителя：8 Weeks
- Покрытие контактов：Tin
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：65V
- Количество элементов：1
- Минимальная частота работы в герцах：150
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Завершение：SMD/SMT
- Код ECCN：EAR99
- Ток постоянного напряжения - номинальный：150V
- Максимальная потеря мощности：15W
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Моментальный ток：6A
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Основной номер части：2STD1665
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：15W
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：65V
- Максимальный ток сбора：6A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：150 @ 2A 1V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：50nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：380mV @ 300mA, 6A
- Максимальное напряжение разрушения：65V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：150V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：7V
- Высота：2.4mm
- Длина：6.6mm
- Ширина：6.2mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 15879
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
