MMBT2907ALT3G

Name: ON Semiconductor MMBT2907ALT3G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.6 (11 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TRANS PNP 60V 0.6A SOT-23
Date Sheet

Lagernummer 10291

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 22 hours ago)
Срок поставки от производителя：10 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：60V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：75
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2007
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：-60V
Максимальная потеря мощности：300mW
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：-600mA
Частота：200MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：MMBT2907A
Число контактов：3
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：300mW
Применение транзистора：SWITCHING
Продуктивность полосы частот：200MHz
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：60V
Максимальный ток сбора：600mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 150mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)：10nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.6V @ 50mA, 500mA
Частота перехода：200MHz
Максимальное напряжение разрушения：60V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Время включения максимальный (тон)：45ns
Высота：1.01mm
Длина：3.04mm
Ширина：1.4mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 10291

Итого $0.00000