MJD31T4G

Name: ON Semiconductor MJD31T4G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.8 (18 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ON SEMICONDUCTOR - MJD31T4G - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V, D-PAK, FULL REEL
Date Sheet

Lagernummer 3169

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Срок поставки от производителя：8 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：40V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：25
Рабочая температура：-65°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2005
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：40V
Максимальная потеря мощности：1.56W
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：3A
Частота：3MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：MJD31
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：1.56W
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот：3MHz
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：40V
Максимальный ток сбора：3A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：10 @ 3A 4V
Ток - отсечка коллектора (макс)：50μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.2V @ 375mA, 3A
Частота перехода：3MHz
Максимальное напряжение разрушения：40V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：40V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Высота：2.38mm
Длина：6.73mm
Ширина：6.22mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 3169

Итого $0.00000