MJD44H11RLG

Name: ON Semiconductor MJD44H11RLG
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.9 (17 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
8 A, 80 V NPN Bipolar Power Transistor
Date Sheet

Lagernummer 286550

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Срок поставки от производителя：11 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：80V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：60
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2008
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：80V
Максимальная потеря мощности：20W
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：8A
Частота：85MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：MJD44H11
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：1.75W
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：SWITCHING
Без галогенов：Halogen Free
Продуктивность полосы частот：85MHz
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：80V
Максимальный ток сбора：8A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：40 @ 4A 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)：1μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1V @ 400mA, 8A
Частота перехода：85MHz
Максимальное напряжение разрушения：80V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：5V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 286550

Итого $0.00000