(0)
Изображение служит лишь для справки
PBSS5540Z,115
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-261-4, TO-261AA
- NEXPERIA - PBSS5540Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, -40 V, 120 MHz, 1.35 W, -5 A, 350 hFE
Date Sheet
Lagernummer 494
- 1+： $0.32076
- 10+： $0.30261
- 100+： $0.28548
- 500+： $0.26932
- 1000+： $0.25407
Zwischensummenbetrag $0.32076
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：4 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-261-4, TO-261AA
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：5A
- Количество элементов：1
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2001
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：4
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Основной номер части：PBSS5540
- Число контактов：4
- Код JESD-30：R-PDSO-G4
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Мощность - Макс：2W
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：PNP
- Тип транзистора：PNP
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：150 @ 2A 2V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：160mV @ 200mA, 2A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：40V
- Частота перехода：120MHz
- Частота - Переход：120MHz
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 494
- 1+： $0.32076
- 10+： $0.30261
- 100+： $0.28548
- 500+： $0.26932
- 1000+： $0.25407
Итого $0.32076
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
