Изображение служит лишь для справки
TIP30CG
- ON Semiconductor
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-220-3
- TRANS PNP 100V 1A TO220AB
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
- Срок поставки от производителя:8 Weeks
- Покрытие контактов:Tin
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-220-3
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество контактов:3
- Вес:4.535924g
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:100V
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:40
- Рабочая температура:-65°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Опубликовано:2005
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Ток постоянного напряжения - номинальный:-100V
- Максимальная потеря мощности:2W
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Моментальный ток:-1A
- Частота:3MHz
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):40
- Основной номер части:TIP30
- Число контактов:3
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:2W
- Сокетная связка:COLLECTOR
- Применение транзистора:SWITCHING
- Продуктивность полосы частот:3MHz
- Полярность/Тип канала:PNP
- Тип транзистора:PNP
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):100V
- Максимальный ток сбора:1A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:15 @ 1A 4V
- Ток - отсечка коллектора (макс):300μA
- Код JEDEC-95:TO-220AB
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:700mV @ 125mA, 1A
- Частота перехода:3MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):100V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):5V
- Высота:15.748mm
- Длина:10.28mm
- Ширина:4.82mm
- REACH SVHC:No SVHC
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000