TIP29AG

Name: ON Semiconductor TIP29AG
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.6 (15 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-220-3
Trans GP BJT NPN 60V 1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Срок поставки от производителя：2 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：60V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：40
Рабочая температура：-65°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2005
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：60V
Максимальная потеря мощности：2W
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：1A
Частота：3MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：TIP29
Число контактов：3
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：2W
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：SWITCHING
Продуктивность полосы частот：3MHz
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：60V
Максимальный ток сбора：1A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：15 @ 1A 4V
Ток - отсечка коллектора (макс)：300μA
Код JEDEC-95：TO-220AB
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：700mV @ 125mA, 1A
Частота перехода：3MHz
Максимальное напряжение разрушения：25V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
REACH SVHC：Unknown
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 0

Итого $0.00000