BDX33CG

Name: ON Semiconductor BDX33CG
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.8 (16 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-220-3
TRANS NPN DARL 100V 10A TO220AB
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Срок поставки от производителя：5 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：3
Вес：6.000006g
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：100V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：750
Рабочая температура：-65°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2006
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Дополнительная Характеристика：LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE
Ток постоянного напряжения - номинальный：100V
Максимальная потеря мощности：70W
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：10A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：BDX33
Число контактов：3
Направленность：NPN
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：70W
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：SWITCHING
Тип транзистора：NPN - Darlington
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：100V
Максимальный ток сбора：10A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：750 @ 3A 3V
Ток - отсечка коллектора (макс)：500μA
Код JEDEC-95：TO-220AB
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：2.5V @ 6mA, 3A
Частота перехода：3MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：100V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Прямоходящий ток коллектора：4A
Высота：15.75mm
Длина：10.53mm
Ширина：4.83mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 0

Итого $0.00000