BD242CG

Name: ON Semiconductor BD242CG
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.7 (5 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-220-3
TRANS PNP 100V 3A TO220AB
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Срок поставки от производителя：6 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：100V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：25
Рабочая температура：-65°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2004
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Дополнительная Характеристика：LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE
Ток постоянного напряжения - номинальный：-100V
Максимальная потеря мощности：40W
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：-3A
Частота：3MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：BD242
Число контактов：3
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：40mW
Сокетная связка：COLLECTOR
Мощность - Макс：40W
Применение транзистора：SWITCHING
Продуктивность полосы частот：3MHz
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：100V
Максимальный ток сбора：3A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：25 @ 1A 4V
Ток - отсечка коллектора (макс)：300μA
Код JEDEC-95：TO-220AB
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.2V @ 600mA, 3A
Частота перехода：3MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：115V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 0

Итого $0.00000