MJF45H11G

Name: ON Semiconductor MJF45H11G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.7 (19 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-220-3 Full Pack
Trans GP BJT PNP 80V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak Rail
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Срок поставки от производителя：8 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3 Full Pack
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：3
Вес：4.535924g
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：350V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：40
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2006
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：-80V
Максимальная потеря мощности：2W
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：41A
Частота：40MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Число контактов：3
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：2W
Сокетная связка：ISOLATED
Применение транзистора：SWITCHING
Продуктивность полосы частот：40MHz
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：80V
Максимальный ток сбора：10A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：40 @ 4A 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)：1μA
Код JEDEC-95：TO-220AB
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1V @ 400mA, 8A
Частота перехода：40MHz
Максимальное напряжение разрушения：80V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：5V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Высота：16.129mm
Длина：10.6172mm
Ширина：4.9022mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 0

Итого $0.00000