BUB323ZG

Name: ON Semiconductor BUB323ZG
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.8 (11 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Срок поставки от производителя：2 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：350V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：150
Рабочая температура：-65°C~175°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2005
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：350V
Максимальная потеря мощности：150W
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：10A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：BUB323
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Направленность：NPN
Конфигурация элемента：Single
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：SWITCHING
Без галогенов：Halogen Free
Тип транзистора：NPN - Darlington
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：350V
Максимальный ток сбора：10A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：500 @ 5A 4.6V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.7V @ 250mA, 10A
Частота перехода：2MHz
Частота - Переход：2MHz
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：6V
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 0

Итого $0.00000