(0)
Изображение служит лишь для справки
BC857B
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- TRANS PNP 45V 0.1A SOT23
Date Sheet
Lagernummer 8000000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Вид крепления：Surface Mount
- Монтаж：Surface Mount
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Минимальная частота работы в герцах：220
- Количество элементов：1
- Диэлектрический пробой напряжение：45V
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура：150°C TJ
- Код JESD-609：e0
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
- Ток постоянного напряжения - номинальный：-50V
- Максимальная потеря мощности：250mW
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Моментальный ток：-100mA
- Основной номер части：BC857
- Конфигурация элемента：Single
- Мощность - Макс：250mW
- Применение транзистора：SWITCHING
- Продуктивность полосы частот：100MHz
- Полярность/Тип канала：PNP
- Тип транзистора：PNP
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：45V
- Максимальный ток сбора：100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：220 @ 2mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：15nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：650mV @ 5mA, 100mA
- Частота перехода：100MHz
- Максимальное напряжение разрушения：45V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：50V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
- Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
- Корпусировка на излучение：No
- Без свинца：Contains Lead
Со склада 8000000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
