(0)
Изображение служит лишь для справки
MJE172G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-225AA, TO-126-3
- TRANS PNP 80V 3A TO225AA
Date Sheet
Lagernummer 16800
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- Срок поставки от производителя：6 Weeks
- Покрытие контактов：Tin
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-225AA, TO-126-3
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество контактов：3
- Вес：4.535924g
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：80V
- Количество элементов：1
- Минимальная частота работы в герцах：50
- Рабочая температура：-65°C~150°C TJ
- Пакетирование：Bulk
- Опубликовано：2006
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Ток постоянного напряжения - номинальный：-80V
- Максимальная потеря мощности：1.5W
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Моментальный ток：3A
- Частота：50MHz
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
- Основной номер части：MJE172
- Число контактов：3
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：12.5W
- Применение транзистора：SWITCHING
- Продуктивность полосы частот：50MHz
- Полярность/Тип канала：PNP
- Тип транзистора：PNP
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：80V
- Максимальный ток сбора：3A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：50 @ 100mA 1V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.7V @ 600mA, 3A
- Частота перехода：50MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：100V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：7V
- Высота：11.1mm
- Длина：7.8mm
- Ширина：3mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 16800
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
