2N3906RLRA

Name: ON Semiconductor 2N3906RLRA
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.7 (18 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
TRANS PNP 40V 0.2A TO92
Date Sheet

Lagernummer 358

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：40V
Максимальный коллекторный ток (Ic)：200mA
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：60
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Cut Tape (CT)
Опубликовано：2007
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：no
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn80Pb20)
Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный：-40V
Максимальная потеря мощности：625mW
Положение терминала：BOTTOM
Температура пайки (пиковая) (°C)：240
Код соответствия REACH：not_compliant
Моментальный ток：-200mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：2N3906
Число контактов：3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：625mW
Применение транзистора：AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот：250MHz
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：40V
Максимальный ток сбора：200mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 10mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)：50nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：250mV @ 1mA, 10mA
Частота перехода：250MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：40V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Время включения максимальный (тон)：70ns
Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 358

Итого $0.00000