2N6520RLRA

Name: ON Semiconductor 2N6520RLRA
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.6 (14 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
TRANS PNP 350V 0.5A TO92
Date Sheet

Lagernummer 159

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：350V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：20
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2004
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：no
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный：-350V
Максимальная потеря мощности：625mW
Положение терминала：BOTTOM
Температура пайки (пиковая) (°C)：240
Код соответствия REACH：not_compliant
Моментальный ток：-500mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：2N6520
Число контактов：3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Мощность - Макс：625mW
Применение транзистора：SWITCHING
Продуктивность полосы частот：200MHz
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：1V
Максимальный ток сбора：500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：20 @ 50mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)：50nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1V @ 5mA, 50mA
Частота перехода：40MHz
Максимальное напряжение разрушения：350V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：350V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 159

Итого $0.00000