Изображение служит лишь для справки
MJE3055T
- ON Semiconductor
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-220-3
- TRANS NPN 60V 10A TO220AB
- Date Sheet
Lagernummer 5000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:OBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-220-3
- Количество контактов:3
- Поставщик упаковки устройства:TO-220AB
- Диэлектрический пробой напряжение:60V
- Максимальный коллекторный ток (Ic):10A
- Минимальная частота работы в герцах:20
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Опубликовано:2010
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура:150°C
- Минимальная температура работы:-55°C
- Ток постоянного напряжения - номинальный:60V
- Максимальная потеря мощности:75W
- Моментальный ток:10A
- Основной номер части:MJE3055
- Направленность:NPN
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:75W
- Мощность - Макс:75W
- Продуктивность полосы частот:2MHz
- Тип транзистора:NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):60V
- Максимальный ток сбора:10A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:20 @ 4A 4V
- Ток - отсечка коллектора (макс):700μA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:8V @ 3.3A, 10A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):60V
- Максимальная частота:2MHz
- Максимальное напряжение разрушения:80V
- Частота - Переход:2MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):70V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):5V
- Высота:9.15mm
- Длина:10.28mm
- Ширина:4.6mm
- Состояние RoHS:Non-RoHS Compliant
- Без свинца:Contains Lead
Со склада 5000
Итого $0.00000