MJD42CT4

Name: ON Semiconductor MJD42CT4
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.8 (19 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TRANS PNP 100V 6A DPAK
Date Sheet

Lagernummer 624

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：100V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：30
Рабочая температура：-65°C~150°C TJ
Пакетирование：Cut Tape (CT)
Опубликовано：2006
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：no
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Ток постоянного напряжения - номинальный：-100V
Максимальная потеря мощности：1.75W
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：240
Код соответствия REACH：not_compliant
Моментальный ток：-6A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：MJD42
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Сокетная связка：COLLECTOR
Мощность - Макс：20W
Применение транзистора：SWITCHING
Продуктивность полосы частот：3MHz
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：1.5V
Максимальный ток сбора：6A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：15 @ 3A 4V
Ток - отсечка коллектора (макс)：50μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.5V @ 600mA, 6A
Частота перехода：3MHz
Максимальное напряжение разрушения：100V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：100V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 624

Итого $0.00000