(0)
Изображение служит лишь для справки
2SA1036KT146P
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- TRANS PNP 32V 0.5A SMT3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：32V
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：500mA
- Количество элементов：1
- Минимальная частота работы в герцах：82
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2004
- Код JESD-609：e1
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN SILVER COPPER
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
- Ток постоянного напряжения - номинальный：-32V
- Максимальная потеря мощности：200mW
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Моментальный ток：-500mA
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：10
- Основной номер части：2SA1036
- Число контактов：3
- Конфигурация элемента：Single
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Продуктивность полосы частот：200MHz
- Полярность/Тип канала：PNP
- Тип транзистора：PNP
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：32V
- Максимальный ток сбора：500mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：82 @ 100mA 3V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：1μA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：600mV @ 30mA, 300mA
- Частота перехода：200MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：40V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
- Максимальное напряжение на выходе：0.4 V
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
