2N3906T93

Name: ROHM Semiconductor 2N3906T93
Brand: ROHM Semiconductor
Rating: 4.8 (6 reviews)

ROHM Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
TRANS PNP 40V 0.2A TO-92
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：40V
Максимальный коллекторный ток (Ic)：200mA
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：60
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tape & Box (TB)
Опубликовано：1998
Код JESD-609：e3/e2
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN/TIN COPPER
Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный：-40V
Максимальная потеря мощности：625mW
Положение терминала：BOTTOM
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：-200mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：10
Основной номер части：2N3906
Число контактов：3
Код JESD-30：O-PBCY-T3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Применение транзистора：SWITCHING
Продуктивность полосы частот：250MHz
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：400mV
Максимальный ток сбора：200mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 10mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)：50nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：400mV @ 5mA, 50mA
Частота перехода：250MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：40V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Максимальное напряжение на выходе：0.4 V
Время выключения максимальное (toff)：300ns
Время включения максимальный (тон)：70ns
Сопротивление базы-эмиттора макс：4.5pF
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 0

Итого $0.00000