NTGD4167CT1G

Name: ON Semiconductor NTGD4167CT1G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.8 (8 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
NTGD4167CT1G N/P-channel MOSFET Transistor; 2.2 A; 2.9 A; 30 V; 6-Pin TSOP
Date Sheet

Lagernummer 47815

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Срок поставки от производителя：4 Weeks
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：2.6A 1.9A
Количество элементов：2
Время отключения：22 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2007
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：90MOhm
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Максимальная потеря мощности：900mW
Форма вывода：GULL WING
Основной номер части：NTGD4167C
Число контактов：6
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：1.1W
Время задержки включения：8 ns
Тип ТРВ：N and P-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：90m Ω @ 2.6A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：295pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：5.5nC @ 4.5V
Время подъема：8ns
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Время падения (тип)：8 ns
Непрерывный ток стока (ID)：2.6A
Пороговое напряжение：900mV
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：12V
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Высота：1mm
Длина：3.1mm
Ширина：1.7mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 47815

Итого $0.00000