(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы FDC6420C
Изображение служит лишь для справки
FDC6420C
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- ON SEMICONDUCTOR - FDC6420C - Dual MOSFET, N and P Channel, 3 A, 20 V, 0.05 ohm, 4.5 V, 900 mV
Date Sheet
Lagernummer 27000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Срок поставки от производителя：10 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Количество контактов：6
- Вес：36mg
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3A 2.2A
- Количество элементов：2
- Время отключения：10 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：PowerTrench®
- Опубликовано：2017
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Завершение：SMD/SMT
- Код ECCN：EAR99
- Сопротивление：70MOhm
- Конечная обработка контакта：TIN (SN)
- Максимальная потеря мощности：700mW
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Моментальный ток：3A
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Каналов количество：2
- Конфигурация элемента：Dual
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：960mW
- Тип ТРВ：N and P-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：70m Ω @ 3A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：324pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：4.6nC @ 4.5V
- Время подъема：12ns
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- Время падения (тип)：12 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：3A
- Пороговое напряжение：900mV
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：12V
- Максимальный сливовой ток (ID)：3A
- Напряжение пробоя стока к истоку：20V
- Двухпитание напряжения：20V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Номинальное Vgs：900 mV
- Высота：900μm
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 27000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
