(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы EM6K6T2R
Изображение служит лишь для справки
EM6K6T2R
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- SOT-563, SOT-666
- MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
Date Sheet
Lagernummer 600000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
- Количество контактов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：2
- Время отключения：15 ns
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2007
- Код JESD-609：e2
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN COPPER
- Максимальная потеря мощности：150mW
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：10
- Основной номер части：*K6
- Число контактов：6
- Конфигурация элемента：Dual
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：150mW
- Время задержки включения：5 ns
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1 Ω @ 300mA, 4V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：25pF @ 10V
- Время подъема：10ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Время падения (тип)：10 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：300mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：8V
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.3A
- Сопротивление открытого канала-макс：1.4Ohm
- Напряжение пробоя стока к истоку：20V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 600000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
