(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SSM6N57NU,LF
Изображение служит лишь для справки
SSM6N57NU,LF
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-WDFN Exposed Pad
- MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
Date Sheet
Lagernummer 400
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-WDFN Exposed Pad
- Количество контактов：6
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Опубликовано：2014
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная потеря мощности：1W
- Код соответствия REACH：unknown
- Конфигурация элемента：Dual
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：46m Ω @ 2A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：310pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：4nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Непрерывный ток стока (ID)：4A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：12V
- Напряжение пробоя стока к истоку：30V
- Характеристика ТРП：Standard
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 400
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
