(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы NTLUD3A50PZTAG
Изображение служит лишь для справки
NTLUD3A50PZTAG
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-UDFN Exposed Pad
- Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin UDFN EP T/R
Date Sheet
Lagernummer 1827
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
- Срок поставки от производителя：8 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-UDFN Exposed Pad
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：6
- Количество элементов：2
- Время отключения：39 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2014
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Максимальная потеря мощности：500mW
- Число контактов：6
- Конфигурация элемента：Dual
- Распад мощности：1.4W
- Время задержки включения：7 ns
- Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：50m Ω @ 4A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：920pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：10.4nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Непрерывный ток стока (ID)：2.8A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：8V
- Максимальный сливовой ток (ID)：4.4A
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Высота：500μm
- Длина：2mm
- Ширина：2mm
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 1827
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
