SI5908DC-T1-E3

Name: Vishay Siliconix SI5908DC-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.6 (10 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-SMD, Flat Lead
Dual N-Channel 20-V (D-S) Mosfet Rohs Compliant: No
Date Sheet

Lagernummer 2610

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：14 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SMD, Flat Lead
Количество контактов：8
Вес：84.99187mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.4A
Количество элементов：2
Время отключения：30 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：TrenchFET®
Опубликовано：2011
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Максимальная потеря мощности：1.1W
Форма вывода：C BEND
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：SI5908
Число контактов：8
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：1.1W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：20 ns
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：40m Ω @ 4.4A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：7.5nC @ 4.5V
Время подъема：36ns
Время падения (тип)：36 ns
Непрерывный ток стока (ID)：5.9A
Пороговое напряжение：1V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：8V
Максимальный сливовой ток (ID)：4.4A
Сопротивление открытого канала-макс：0.04Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：20V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Высота：1.1mm
Длина：3.05mm
Ширина：1.65mm
REACH SVHC：Unknown
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 2610

Итого $0.00000