Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

NVMFD5873NLT1G

Lagernummer 400

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Состояние жизненного цикла:ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
  • Срок поставки от производителя:13 Weeks
  • Вид крепления:Surface Mount
  • Корпус / Кейс:8-PowerTDFN
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Количество контактов:8
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Количество элементов:2
  • Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
  • Пакетирование:Tape & Reel (TR)
  • Опубликовано:2013
  • Код JESD-609:e3
  • Безоловая кодировка:yes
  • Состояние изделия:Not For New Designs
  • Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
  • Количество выводов:6
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
  • Максимальная потеря мощности:3.1W
  • Форма вывода:FLAT
  • Число контактов:8
  • Нормативная Марка:AEC-Q101
  • Код JESD-30:R-PDSO-F6
  • Конфигурация элемента:Dual
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Распад мощности:3.1W
  • Сокетная связка:DRAIN
  • Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual)
  • Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:13m Ω @ 15A, 10V
  • Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 250μA
  • Без галогенов:Halogen Free
  • Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1560pF @ 25V
  • Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:30.5nC @ 10V
  • Напряжение стока-исток (Vdss):60V
  • Непрерывный ток стока (ID):10A
  • Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.013Ohm
  • Напряжение пробоя стока к истоку:60V
  • Максимальный импульсный ток вывода:190A
  • Рейтинг энергии лавины (Eas):40 mJ
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Характеристика ТРП:Logic Level Gate
  • Корпусировка на излучение:No
  • Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
  • Без свинца:Lead Free

Со склада 400

Итого $0.00000