IRF7309TRPBF

Name: Infineon Technologies IRF7309TRPBF
Brand: Infineon Technologies
Rating: 5 (18 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
Date Sheet

Lagernummer 117

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：12 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4A 3A
Количество элементов：2
Время отключения：25 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：HEXFET®
Опубликовано：2001
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：50mOhm
Дополнительная Характеристика：ULTRA LOW RESISTANCE
Максимальная потеря мощности：1.4W
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Моментальный ток：4A
Основной номер части：IRF7309PBF
Интервал строк：6.3 mm
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：1.4W
Тип ТРВ：N and P-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：50m Ω @ 2.4A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：520pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：25nC @ 4.5V
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Непрерывный ток стока (ID)：4A
Пороговое напряжение：1V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：4A
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Максимальный импульсный ток вывода：16A
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Standard
Номинальное Vgs：1 V
Высота：1.4986mm
Длина：4.9784mm
Ширина：4.05mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 117

Итого $0.00000