(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы EM6M1T2R
Изображение служит лишь для справки
EM6M1T2R
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- SOT-563, SOT-666
- MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
Date Sheet
Lagernummer 34
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
- Количество контактов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：100mA 200mA
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2008
- Код JESD-609：e2
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN COPPER
- Максимальная потеря мощности：150mW
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：10
- Основной номер части：6M1
- Число контактов：6
- Конфигурация элемента：Dual
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：150mW
- Тип ТРВ：N and P-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：8 Ω @ 10mA, 4V
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：13pF @ 5V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：0.9nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V 20V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- Непрерывный ток стока (ID)：200mA
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.1A
- Сопротивление открытого канала-макс：8Ohm
- Напряжение пробоя стока к истоку：30V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 34
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
