IRFI4020H-117P

Name: Infineon Technologies IRFI4020H-117P
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.9 (6 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
TO-220-5 Full Pack
200V Dual N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET in a TO-220 Full-Pak(Iso) package.
Date Sheet

Lagernummer 2000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：12 Weeks
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-5 Full Pack
Количество контактов：5
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：18 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2006
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：5
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：100MOhm
Максимальная потеря мощности：21W
Положение терминала：SINGLE
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：21W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：8.4 ns
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора：AMPLIFIER
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：100m Ω @ 5.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4.9V @ 100μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1240pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：29nC @ 10V
Время подъема：8ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：200V
Время падения (тип)：4 ns
Непрерывный ток стока (ID)：9.1A
Пороговое напряжение：4.9V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：200V
Максимальный импульсный ток вывода：36A
Рейтинг энергии лавины (Eas)：130 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Время восстановления：110 ns
Характеристика ТРП：Standard
Номинальное Vgs：4.9 V
Высота：9.02mm
Длина：10.6172mm
Ширина：4.826mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 2000

Итого $0.00000