Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы DMG8601UFG-7
Изображение служит лишь для справки
DMG8601UFG-7
- Diodes Incorporated
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-PowerUDFN
- Dual N-Channel 20 V 34 mOhm 8.8 nC 0.92 W Silicon Surface Mount Mosfet - UDFN-8
- Date Sheet
Lagernummer 3039
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:16 Weeks
- Покрытие контактов:Gold
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-PowerUDFN
- Количество контактов:8
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Количество элементов:2
- Время отключения:562 ns
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Cut Tape (CT)
- Опубликовано:2011
- Код JESD-609:e4
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:5
- Код ECCN:EAR99
- Дополнительная Характеристика:HIGH RELIABILITY
- Максимальная потеря мощности:920mW
- Форма вывода:NO LEAD
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):40
- Основной номер части:DMG8601UFG
- Число контактов:8
- Код JESD-30:R-PDSO-N5
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Каналов количество:2
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Время задержки включения:53 ns
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual) Common Drain
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:23m Ω @ 6.5A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1.05V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:143pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:8.8nC @ 4.5V
- Время подъема:78ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):20V
- Время падения (тип):234 ns
- Непрерывный ток стока (ID):6.1A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):12V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП:Logic Level Gate
- REACH SVHC:No SVHC
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 3039
Итого $0.00000