(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы DMP2100UFU-7
Изображение служит лишь для справки
DMP2100UFU-7
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-UFDFN Exposed Pad
- MOSFET 2P-CH 20V U-DFN2030-6
Date Sheet
Lagernummer 49
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：15 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-UFDFN Exposed Pad
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2004
- Код JESD-609：e4
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Максимальная потеря мощности：900mW
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Мощность - Макс：900mW
- Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：38m Ω @ 3.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：906pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：21.4nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Непрерывный ток стока (ID)：5.7A
- Характеристика ТРП：Standard
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 49
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
