(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SSM6L61NU,LF
Изображение служит лишь для справки
SSM6L61NU,LF
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-WDFN Exposed Pad
- MOSFET N/P-CH 20V 4A UDFN6
Date Sheet
Lagernummer 6056
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Base
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-WDFN Exposed Pad
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：2
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2015
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：NO LEAD
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：S-PDSO-N6
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ：N and P-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- Непрерывный ток стока (ID)：4A
- Максимальный сливовой ток (ID)：4A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.033Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения：20V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Standard
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 6056
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
