DMN2016LFG-7

Name: Diodes Incorporated DMN2016LFG-7
Brand: Diodes Incorporated
Rating: 4.7 (12 reviews)

Diodes Incorporated
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-PowerUDFN
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN
Date Sheet

Lagernummer 670

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：16 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerUDFN
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：84.5 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2012
Код JESD-609：e4
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：5
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：18mOhm
Конечная обработка контакта：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности：770mW
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：DMN2016L
Нормативная Марка：AEC-Q101
Код JESD-30：S-PDSO-N5
Каналов количество：2
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Время задержки включения：2.6 ns
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual) Common Drain
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：18m Ω @ 6A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：1.1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1472pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：16nC @ 4.5V
Время подъема：13.2ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
Время падения (тип)：46.8 ns
Непрерывный ток стока (ID)：5.2A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：8V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 670

Итого $0.00000