ZXMN6A25DN8TA

Name: Diodes Incorporated ZXMN6A25DN8TA
Brand: Diodes Incorporated
Rating: 4.8 (9 reviews)

Diodes Incorporated
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC
Date Sheet

Lagernummer 2632

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：17 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов：8
Вес：73.992255mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3.8A
Количество элементов：2
Время отключения：26.2 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Cut Tape (CT)
Опубликовано：2006
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：500mOhm
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：60V
Максимальная потеря мощности：2.1W
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：4.7A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Число контактов：8
Каналов количество：2
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：2.1W
Время задержки включения：3.8 ns
Мощность - Макс：1.8W
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：50m Ω @ 3.6A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA (Min)
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1063pF @ 30V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：20.4nC @ 10V
Время подъема：4ns
Время падения (тип)：10.6 ns
Непрерывный ток стока (ID)：5A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：3.6A
Напряжение пробоя стока к истоку：60V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Высота：1.5mm
Длина：5mm
Ширина：4mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 2632

Итого $0.00000