FDS89141

Name: ON Semiconductor FDS89141
Brand: ON Semiconductor
Rating: 5 (16 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
Date Sheet

Lagernummer 2416

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Срок поставки от производителя：11 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов：8
Вес：187mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：9.8 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：PowerTrench®
Опубликовано：2010
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：62MOhm
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：ULTRA-LOW RESISTANCE
Максимальная потеря мощности：31W
Форма вывода：GULL WING
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：31W
Время задержки включения：5 ns
Мощность - Макс：1.6W
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：62m Ω @ 3.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：398pF @ 50V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：7.1nC @ 10V
Время подъема：1.4ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：100V
Время падения (тип)：2.2 ns
Непрерывный ток стока (ID)：3.5A
Пороговое напряжение：3.1V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：100V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：37 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Высота：1.5mm
Длина：4mm
Ширина：5mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 2416

Итого $0.00000