Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы FDMS3620S
![](https://static.whisyee.com/dimg/onsemiconductor-fdms3660s-7513.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
FDMS3620S
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-PowerTDFN
- MOSFET 25V Asymtrc Dual NCh MOSFET PowerTrench
Date Sheet
Lagernummer 355
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Срок поставки от производителя:18 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-PowerTDFN
- Количество контактов:8
- Вес:90mg
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:17.5A 38A
- Количество элементов:2
- Время отключения:41 ns
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:PowerTrench®
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:6
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Максимальная потеря мощности:1W
- Основной номер части:FDMS3620S
- Код JESD-30:R-PDSO-N6
- Конфигурация элемента:Dual
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:2.5W
- Сокетная связка:DRAIN SOURCE
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:4.7m Ω @ 17.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1570pF @ 13V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:26nC @ 10V
- Непрерывный ток стока (ID):38A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):12V
- Максимальный сливовой ток (ID):17.5A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0047Ohm
- Напряжение пробоя стока к истоку:25V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП:Logic Level Gate
- Высота:1.05mm
- Длина:5.1mm
- Ширина:6.1mm
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 355
Итого $0.00000