Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы TC8220K6-G
Изображение служит лишь для справки
TC8220K6-G
- Microchip Technology
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 12-VFDFN Exposed Pad
- Two Pair N- And P-channel Enhancement-mode Mosfet
- Date Sheet
Lagernummer 4190
- 1+: $2.09479
- 10+: $1.97622
- 100+: $1.86436
- 500+: $1.75883
- 1000+: $1.65927
Zwischensummenbetrag $2.09479
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:3 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:12-VFDFN Exposed Pad
- Количество контактов:12
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Количество элементов:4
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2013
- Код JESD-609:e4
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):2 (1 Year)
- Количество выводов:12
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Дополнительная Характеристика:LOGIC LEVEL COMPATIBLE, LOW THRESHOLD
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:NO LEAD
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):40
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ:2 N and 2 P-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:6 Ω @ 1A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.4V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:56pF @ 25V
- Напряжение стока-исток (Vdss):200V
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:7Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения:200V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП:Standard
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 4190
- 1+: $2.09479
- 10+: $1.97622
- 100+: $1.86436
- 500+: $1.75883
- 1000+: $1.65927
Итого $2.09479