SI7252DP-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SI7252DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 5 (10 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
PowerPAK® SO-8 Dual
MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO
Date Sheet

Lagernummer 37290

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：14 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：PowerPAK® SO-8 Dual
Количество контактов：8
Вес：506.605978mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：18 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Digi-Reel®
Серия：TrenchFET®
Опубликовано：2006
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Максимальная потеря мощности：46W
Форма вывода：C BEND
Основной номер части：SI7252
Код JESD-30：R-PDSO-C6
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：3.5W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：12 ns
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：18m Ω @ 15A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1170pF @ 50V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：27nC @ 10V
Время подъема：12ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：100V
Время падения (тип)：7 ns
Непрерывный ток стока (ID)：36.7A
Пороговое напряжение：1.5V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Сопротивление открытого канала-макс：0.017Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：100V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Высота：1.12mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 37290

Итого $0.00000