DMN3190LDW-13

Name: Diodes Incorporated DMN3190LDW-13
Brand: Diodes Incorporated
Rating: 4.7 (13 reviews)

Diodes Incorporated
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Date Sheet

Lagernummer 488

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：15 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：30.3 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности：320mW
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Число контактов：6
Нормативная Марка：AEC-Q101
Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Время задержки включения：4.5 ns
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：190m Ω @ 1.3A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.8V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：87pF @ 20V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：2nC @ 10V
Время подъема：8.9ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
Время падения (тип)：15.6 ns
Непрерывный ток стока (ID)：1A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：1A
Сопротивление открытого канала-макс：0.19Ohm
Минимальная напряжённость разрушения：30V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Высота：1mm
Длина：2.2mm
Ширина：1.35mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 488

Итого $0.00000