Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы DMC3400SDW-7
![](https://static.whisyee.com/dimg/diodesincorporated-zamp001h6tc-8639.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
DMC3400SDW-7
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- MOSFET N/P-CH 30V SOT363
Date Sheet
Lagernummer 201290
- 1+: $0.25309
- 10+: $0.23876
- 100+: $0.22525
- 500+: $0.21250
- 1000+: $0.20047
Zwischensummenbetrag $0.25309
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:15 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:650mA 450mA
- Количество элементов:2
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2015
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:6
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Максимальная потеря мощности:310mW
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Код JESD-30:R-PDSO-G6
- Каналов количество:2
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:310mW
- Тип ТРВ:N and P-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:400m Ω @ 590mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1.6V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:55pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:1.4nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):30V
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- Непрерывный ток стока (ID):450mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Максимальный сливовой ток (ID):0.65A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.4Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения:30V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная температура перехода (Тj):150°C
- Характеристика ТРП:Standard
- Высота:1.1mm
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 201290
- 1+: $0.25309
- 10+: $0.23876
- 100+: $0.22525
- 500+: $0.21250
- 1000+: $0.20047
Итого $0.25309