DMN2215UDM-7

Name: Diodes Incorporated DMN2215UDM-7
Brand: Diodes Incorporated
Rating: 5 (5 reviews)

Diodes Incorporated
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
SOT-23-6
MOSFET 2N-CH 20V 2A SOT-26
Date Sheet

Lagernummer 256

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：19 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SOT-23-6
Количество контактов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：19.6 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2008
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности：650mW
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：DMN2215UDM
Число контактов：6
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：650mW
Время задержки включения：8 ns
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：100m Ω @ 2.5A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：188pF @ 10V
Время подъема：3.8ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
Время падения (тип)：3.8 ns
Непрерывный ток стока (ID)：2A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：12V
Максимальный сливовой ток (ID)：2A
Сопротивление открытого канала-макс：0.1Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：20V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Высота：1.1mm
Длина：3mm
Ширина：1.6mm
REACH SVHC：No SVHC
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 256

Итого $0.00000