(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SI3585CDV-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SI3585CDV-T1-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- MOSFET 20 Volts 3.9 Amps 1.4 Watts
Date Sheet
Lagernummer 4705
- 1+： $0.65767
- 10+： $0.62044
- 100+： $0.58532
- 500+： $0.55219
- 1000+： $0.52093
Zwischensummenbetrag $0.65767
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：14 Weeks
- Покрытие контактов：Tin
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Количество контактов：6
- Вес：19.986414mg
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3.9A 2.1A
- Количество элементов：2
- Время отключения：13 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：TrenchFET®
- Опубликовано：2013
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Код ECCN：EAR99
- Сопротивление：195mOhm
- Максимальная потеря мощности：1.3W
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Число контактов：6
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Каналов количество：2
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：1.1W
- Время задержки включения：3 ns
- Мощность - Макс：1.4W 1.3W
- Тип ТРВ：N and P-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：58m Ω @ 2.5A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：150pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：4.8nC @ 10V
- Время подъема：10ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- Время падения (тип)：7 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：2.1A
- Пороговое напряжение：1.5V
- Код JEDEC-95：MO-193AA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：12V
- Максимальный сливовой ток (ID)：3.9A
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Высота：1.1mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 4705
- 1+： $0.65767
- 10+： $0.62044
- 100+： $0.58532
- 500+： $0.55219
- 1000+： $0.52093
Итого $0.65767
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
