IPB015N08N5ATMA1

Name: Infineon Technologies IPB015N08N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.9 (17 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
MOSFET N-Ch 80V 180A D2PAK-2
Date Sheet

Lagernummer 10000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：13 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
Количество контактов：7
Вес：1.59999g
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：180A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：6V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：375W Tc
Время отключения：83 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：OptiMOS™
Опубликовано：2013
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Код JESD-30：R-PSSO-G6
Каналов количество：1
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：375W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：33 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.5m Ω @ 100A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3.8V @ 279μA
Без галогенов：Halogen Free
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：16900pF @ 40V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：222nC @ 10V
Время подъема：32ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：28 ns
Непрерывный ток стока (ID)：180A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальное напряжение питания с двумя источниками：80V
Напряжение пробоя стока к истоку：80V
Максимальная температура перехода (Тj)：175°C
Высота：4.5mm
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 10000

Итого $0.00000