IPB025N10N3GATMA1

Name: Infineon Technologies IPB025N10N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.8 (14 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) TO-263
Date Sheet

Lagernummer 10000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：13 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
Количество контактов：7
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：180A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：6V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：300W Tc
Время отключения：84 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：OptiMOS™
Опубликовано：2008
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Число контактов：4
Код JESD-30：R-PSSO-G6
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：300W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：34 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.5m Ω @ 100A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3.5V @ 275μA
Без галогенов：Halogen Free
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：14800pF @ 50V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：206nC @ 10V
Время подъема：58ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：28 ns
Непрерывный ток стока (ID)：180A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальное напряжение питания с двумя источниками：100V
Сопротивление открытого канала-макс：0.0025Ohm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 10000

Итого $0.00000