(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные STP33N60DM2
Изображение служит лишь для справки
STP33N60DM2
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- STMICROELECTRONICS STP33N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 24 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V
Date Sheet
Lagernummer 1000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：17 Weeks
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Вид крепления：Through Hole
- Монтаж：Through Hole
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Максимальная мощность рассеяния：190W Tc
- Количество элементов：1
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：24A Tc
- Серия：MDmesh™ DM2
- Пакетирование：Tube
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：SINGLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Основной номер части：STP33N
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：130m Ω @ 12A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1870pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：43nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：600V
- Угол настройки (макс.)：±25V
- Непрерывный ток стока (ID)：24A
- Пороговое напряжение：4V
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Максимальный импульсный ток вывода：96A
- Минимальная напряжённость разрушения：600V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：570 mJ
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- REACH SVHC：No SVHC
Со склада 1000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
