(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные EPC2029
Изображение служит лишь для справки
EPC2029
-
EPC
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- Die
- GANFET TRANS 80V 31A BUMPED DIE
Date Sheet
Lagernummer 11200
- 1+： $8.03269
- 10+： $7.57801
- 100+： $7.14906
- 500+： $6.74440
- 1000+： $6.36264
Zwischensummenbetrag $8.03269
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：Die
- Поставщик упаковки устройства：Die
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：48A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：5V
- Рабочая температура：-40°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：eGaN®
- Опубликовано：2012
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-40°C
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3.2mOhm @ 30A, 5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 12mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1410pF @ 40V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：13nC @ 5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：80V
- Угол настройки (макс.)：+6V, -4V
- Непрерывный ток стока (ID)：48A
- Входной ёмкости：1.41nF
- Rds на макс.：3.2 mΩ
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 11200
- 1+： $8.03269
- 10+： $7.57801
- 100+： $7.14906
- 500+： $6.74440
- 1000+： $6.36264
Итого $8.03269
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
