(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SI4936ADY-T1-E3
Изображение служит лишь для справки
SI4936ADY-T1-E3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 8-Pin SOIC N T/R
Date Sheet
Lagernummer 13177
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：14 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Количество контактов：8
- Поставщик упаковки устройства：8-SO
- Вес：506.605978mg
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.4A
- Количество элементов：2
- Время отключения：30 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：TrenchFET®
- Опубликовано：2004
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Сопротивление：36mOhm
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Максимальная потеря мощности：3.12W
- Основной номер части：SI4936
- Каналов количество：2
- Конфигурация элемента：Dual
- Распад мощности：1.1W
- Время задержки включения：6 ns
- Мощность - Макс：1.1W
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：36mOhm @ 5.9A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250μA
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：20nC @ 10V
- Время подъема：14ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Время падения (тип)：14 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：5.9A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Напряжение пробоя стока к истоку：30V
- Входной ёмкости：220pF
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Сопротивление стока к истоку：36mOhm
- Rds на макс.：65 mΩ
- Номинальное Vgs：1 V
- Высота：1.55mm
- Длина：5mm
- Ширина：4mm
- REACH SVHC：Unknown
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 13177
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
