ZXMD63P03XTA

Name: Diodes Incorporated ZXMD63P03XTA
Brand: Diodes Incorporated
Rating: 5 (17 reviews)

Diodes Incorporated
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
MOSFET Dual 30V P Chl HDMOS
Date Sheet

Lagernummer 289

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：16 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
Количество контактов：8
Вес：139.989945mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：13.1 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2006
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：LOW THRESHOLD
Ток постоянного напряжения - номинальный：-30V
Максимальная потеря мощности：1.04W
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：-1.7A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Число контактов：8
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：1.25W
Время задержки включения：2.6 ns
Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：185m Ω @ 1.2A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA (Min)
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：270pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：7nC @ 10V
Время подъема：4.8ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
Время падения (тип)：4.8 ns
Непрерывный ток стока (ID)：2A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：2A
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Высота：950μm
Длина：3.1mm
Ширина：3.1mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 289

Итого $0.00000